全球首发：中国镓仁半导体建成6/8英寸氧化镓同质外延量产线

　　7 月 6 日消息，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）今年 6 月宣布，基于自研铸造法单晶生长与 MOCVD 外延工艺，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，向头部芯片客户批量供货。

　　在长晶环节，镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至原有 3 至 4 倍。此外，铸造法也进一步降低了贵金属铱的用量，使衬底单片成本较原来降低 80% 以上，显著降低下游器件厂商的材料成本。

　　在外延环节，镓仁半导体技术团队针对（100）面特点优化关键工艺参数，设计特色 MOCVD 外延工艺，成为全球首家且唯一一家商用 6 英寸氧化镓同质外延的供货厂商。公司出品的 6 英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于 10 μm，膜厚方差小于 1%，均匀性优异。

　　此前，氧化镓同质外延片在全球范围内存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点，很难满足产业化需求。镓仁半导体此次不仅实现了 6 英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付，更是打通“单晶-衬底-外延”的全流程稳定量产能力，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，批次间品质稳定可控。目前海外多家企业和科研机构已陆续下单，多家合作客户已进行了长期稳定采购。

　　▲ 6 英寸氧化镓同质外延片已实现批量供货（右下角为镓仁 2 英寸外延片对比样）

　　IT之家查询公开资料获悉，杭州镓仁半导体有限公司是一家国产氧化镓材料与设备解决方案提供商，专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。该公司核心产品包括：2-8 英寸氧化镓单晶与衬底（其中 8 英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB 法）长晶设备、2-8 英寸氧化镓同质外延片（其中 8 英寸为国际首发）等，致力于构建“设备-晶体-衬底-外延”全链条产品体系。

　　【来源：IT之家】